半导体元器件生产过程中，受材料、加工工艺还有区域环境的干扰，晶圆芯片外表会存在着肉眼看不见的各类颗粒物、有机化合物、氧化物质及残余的磨料颗粒物等污染物，而Plasma设备是适宜的清洁处理工艺形式。

Plasma设备在不损坏晶圆芯片还有其他所使用材料的外表特点、热力学特点和电力学特点的前提条件下，清洁去掉晶圆芯片外表的有危害玷污杂物物，对半导体元器件多功能性、稳定性、集成度等显得至关重要；否则的话，它们将对半导体元器件的性能指标引起严重问题和干扰，极大地影响产品合格率，并将阻碍半导体元器件的全面发展。

Plasma设备的工艺基本原理：在密闭式的真空环境内腔中，借助真空泵持续抽气，促使压力值逐步缩小，真空值持续不断提高，分子间的距离被放大，分子间相互作用力变得越来越小，使用等离子发生器建立的超高压交变电场将Ar、H2、N2、O2、CF4等加工工艺气体激发、振荡建立具备高反应活性或高能量的等离子，进而与有机污染物质及微颗粒物污染物质反应或撞击建立易挥发成分由工作中气体流及真空泵将这类易挥发成分清理出去，进而实现外表清理、活化、蚀刻等最终目的。