半导体芯片晶圆被暴露在含氧及水的前提条件下表层会构成自然的空气氧化层。这层空气氧化塑料薄膜不仅会阻碍半导体的很多工艺程序，还涵盖了某些金属材料残渣，在相应前提条件下，两者会迁移到晶圆中构成电力学瑕疵。这层空气氧化塑料薄膜的清除常运用稀氢氟酸浸泡达成。

plasma在半导体芯片晶圆清洁工艺技术上的运用，等离子技术清洁具备工艺技术简易、实际操作便捷、沒有废料处理和空气污染等难题。但plasma无法清除碳和其他非挥发物金属材料或金属氧化物残渣。

plasma经常使用于导电银胶的清除工艺技术中，在等离子技术反映体系中通入少许的氧，在强电场的作用下，使氧形成等离子技术，快速使导电银胶空气氧化变成可挥发物的气体形态物质被吸走。