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随着器件尺寸的日益缩小，半导体制造工业逐渐进入原子尺度阶段。在未来10年内，可接受的特征尺寸变化幅度将被要求在3~4个硅原子量级以内。器件尺寸的不均匀性很大程度上将影响整个器件的稳定性、漏电流和电池功率损耗，引起器件失效和良率降低。等离子表面处理机为了准确控制蚀刻过程和改善蚀刻结果，原子层蚀刻技术被开发并
等离子体聚合介质薄膜可以保护电子元件，采用等离子体沉积导电膜技术保护电子线路和设备不受静电荷积累造成的损坏，等离子体沉积薄膜技术还可以制作电容器元件。可广泛应用于电子工业，化学工业，光学等领域。等离子体积硅化合物，使用SiH4+N2O(或Si(OC2H4)+O2)制造SiOxHy。空气压力1~5托(1托≈133帕)，功率为13.5MHz
等离子体温度：一般情况下，物质只有在热力学平衡时才能用确定的温度T来描述。温度是物质内部微观粒子的平均平动动能的量度，粒子的平均平动动能与热平衡温度的 关系可用下面描述。公式中m是粒子的质量（kg）；v是均方根速度（m/s）；k是玻尔兹曼常数（1.380 650 5×10^-23J/K）。等离子体技术等离子体的宏观温度取决
改善材料的生物相容性是等离子体离子注入的另一个成功应用，等离子体注入可单独应用，也可结合PVD或CVD工艺实现。比如，标准的低温各向同性热解碳，在活体内表现为强的影像形态血栓聚集，但是用PIII氧处理过的钛基生物材料，在放入活体内后没有出现明显的血栓。通过氧离子轰击，控制氧化物生长，使其生成金红石相。另外，经
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